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华虹半导体申请用于闪存器件制造中的工艺方法专利提高浮栅多晶硅层均一性
添加时间:2025-11-30 18:12:28

  金融界2025年8月15日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司;华虹半导体制造(无锡)有限公司申请一项名为“用于闪存器件制造中的工艺方法”的专利,公开号CN120500044A,申请日期为2025年4月。

  专利摘要显示,本申请公开了一种用于闪存器件制造中的工艺方法,包括:在衬底上形成耦合氧化物层,该耦合氧化物层的厚度为50埃至150埃;在耦合氧化物层上形成浮栅多晶硅层,浮栅多晶硅层用于制备闪存的浮栅;在浮栅多晶硅层上形成保护氧化物层,保护氧化物层用于在后续的湿法刻蚀工艺中保护浮栅多晶硅层;在保护氧化物层上形成氮化物层;通过湿法刻蚀工艺去除氮化物层。

  天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2938次,专利信息1740条,此外企业还拥有行政许可117个。

  华虹半导体制造(无锡)有限公司,成立于2022年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体制造(无锡)有限公司参与招投标项目375次,专利信息54条,此外企业还拥有行政许可227个。

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