金融界2025年8月15日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司;华虹半导体制造(无锡)有限公司申请一项名为“用于闪存器件制造中的工艺方法”的专利,公开号CN120500044A,申请日期为2025年4月。
专利摘要显示,本申请公开了一种用于闪存器件制造中的工艺方法,包括:在衬底上形成耦合氧化物层,该耦合氧化物层的厚度为50埃至150埃;在耦合氧化物层上形成浮栅多晶硅层,浮栅多晶硅层用于制备闪存的浮栅;在浮栅多晶硅层上形成保护氧化物层,保护氧化物层用于在后续的湿法刻蚀工艺中保护浮栅多晶硅层;在保护氧化物层上形成氮化物层;通过湿法刻蚀工艺去除氮化物层。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2938次,专利信息1740条,此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造(无锡)有限公司,成立于2022年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体制造(无锡)有限公司参与招投标项目375次,专利信息54条,此外企业还拥有行政许可227个。
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