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上海华力申请控制栅和浮栅及其制作方法专利避免对Logic区产生损伤
添加时间:2025-11-30 18:12:48

  金融界2025年8月1日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“控制栅和浮栅及其制作方法”的专利,公开号CN120417458A,申请日期为2025年04月。

  专利摘要显示,本发明提供了一种控制栅和浮栅及其制作方法,属于半导体领域。该控制栅和浮栅的制作方法包括提供一半导体基底;提供第一掩模版,所述第一掩模版上设置有存储区栅极图形和虚拟图形,所述第二光刻胶图形用于增加外围逻辑区图形密度;以所述第一光刻胶图形为掩膜,依次刻蚀硬掩模层、控制栅层、介质层和浮栅层,分别形成存储区的第一控制栅和第一浮栅。本发明通过在第一掩模版增加虚拟图形,从而能够对Logic区存在器件图形的地方增加图形,提高Logic区图形的密度,改变整张掩模版的透光率,能够降低Logic区的透光率,使得Logic区与Cell区的透光率保持尽量做到相同。从而能够在Cell区刻蚀第二TEOS层形成芯轴时,避免对Logic区产生损伤。

  天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次,专利信息2356条,此外企业还拥有行政许可344个。

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